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比封杀7nm芯片更严峻的事:HBM、CoWoS封装,国内落后很多

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比封杀7nm芯片更严峻的事:HBM、CoWoS封装,国内落后很多
发布日期:2024-11-18 14:25    点击次数:172

前几天,很多媒体报道称,收到美国的通知,台积电从11月11日起,不再为中国大陆的客户,代工所有AI芯片,包括GPU、ADSA(自动驾驶)芯片、AI芯片等。

有些网友称,这会导致国内AI芯片市场大变天,因为绝大部分的国产7nm及以下的AI芯片,均是台积电代工的,一旦不能代工,那可怎么办?

也有人说,可以找三星,而现在又传出新消息,那就是三星也收到美国通知,不再为中国大陆的客户,代工任何7nm及以下的AI芯片。

事实上,这并不难理解,既然美国要封杀中国大陆的AI芯片,那就不可能只封杀台积电这一家,三星一定也是同样的。

接下来,我们只有国产突破,自己制造7nm芯片才行,依赖国外的7nm工艺,肯定是不现实的。

但事实上,关于AI芯片,大家只看到了这个7nm的工艺,还有比7nm工艺更严峻的事情,我们也同样要重视起来,那就是HBM存储和CoWos封装技术。

HBM是什么?它是High Bandwidth Memory缩写,意即高带宽内存。HBM存储被用于AI芯片、AI服务器,相比于之前的DRAM内存,HBM宽带更宽,性能更强,才能满足AI的海量算力需求。

目前像英伟达、英特尔、AMD的高端GPU,全部使用HBM存储,一定没有HBM存储,性能会大受影响。

目前像SK海力士的HBM已经发展到第三代了,HBM3,而中国呢,之前White Oak Capital的投资总监Nori Chiou估计,中国落后于全球竞争对手10年,因为起步晚的太多了。

而如果HBM存储,我们落后这么多,就算有7nm制造技术,也会落后对手很多的,因为普通的存储跟不上性能要求。

再说CoWoS封装,这是台积电提出来的,CoWoS封装使用硅(Si)衬底作为中间衬底(中介层),将多个芯片集成在一个封装体内,包括处理器、内存和其他功能模块,实现高密度的系统集成。

而目前几乎所有的AI芯片,以及先进的芯片,全部采用CoWoS封装,因为这种封装,一颗芯片里面,有多个模块,在当前摩尔定律已死,工艺无法迅速提升的情况下,这种类似于小芯片的封装技术,尤为重要。

但目前,这种封装技术,国内落后同样太多,国内擅长的,还是一些相对成熟的封装技术,所以同样的,就算我们能够制造7nm芯片,如果在封装技术上落后,还是采用一些成熟的封装技术,那么在整体性能上也会落后。

可见,芯片是一个系统性的工程,类似于木桶理论,即综合能力,其实是取决于最短的那一块短板,而不是最长的那一块长板。

所以说,国产芯片产业,还需继续努力,我们要补的课还非常多,得慢慢的全面发展,一项一项来。